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作為A股IGBT龍頭，斯達(dá)半導(dǎo)(603290)時(shí)隔三個(gè)月再度出手，擬通過(guò)非公開(kāi)發(fā)行募資，再度加碼碳化硅等項(xiàng)目。

3月2日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)披露定增預(yù)案顯示，該上市公司擬發(fā)行不超過(guò)1600萬(wàn)股，募資不超35億元，用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金。

重點(diǎn)投向碳化硅

按照發(fā)行上限測(cè)算，斯達(dá)半導(dǎo)實(shí)控人沈華、胡畏夫婦共計(jì)持股比例為40.49%，仍為實(shí)際控制人。


自2020年2月上市以來(lái)，斯達(dá)半導(dǎo)股票累積漲幅超過(guò)18倍，最新收盤價(jià)報(bào)收250.18元/股；坐上A股IGBT功率半導(dǎo)體龍頭位置的斯達(dá)半導(dǎo)，IGBT模塊作為主營(yíng)業(yè)務(wù)，占比超過(guò)95%以上。

在此次募投項(xiàng)目中，將有近6成資金投向了高壓特色工藝功率芯片和SiC(碳化硅)芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

在上述項(xiàng)目中，斯達(dá)半導(dǎo)計(jì)劃通過(guò)新建廠房及倉(cāng)庫(kù)等配套設(shè)施，購(gòu)置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，實(shí)現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)36萬(wàn)片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。

作為第三代半導(dǎo)體代表之一，SiC的發(fā)展有助于新能源汽車核心器件的國(guó)產(chǎn)化，以及改善智能電網(wǎng)、軌道交通等基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵零部件嚴(yán)重依賴進(jìn)口的局面。

據(jù)介紹，SiC功率器件具有降低損耗，減小模塊體積重量的特點(diǎn)。隨著新能源汽車市場(chǎng)迅速發(fā)展，SiC功率器件在高端新能源汽車控制器中大批量應(yīng)用。2018年特斯拉的主逆變器開(kāi)始采用SiCMOSFET方案，隨后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亞迪、雷諾等汽車生產(chǎn)商都宣布在其部分產(chǎn)品中采用采用SiC MOSFET方案，讓SiC功率器件市場(chǎng)前景十分廣闊。

據(jù)IHS預(yù)測(cè)，受新能源汽車行業(yè)龐大的需求驅(qū)動(dòng)，以及光伏風(fēng)電和充電樁等領(lǐng)域?qū)τ谛屎凸囊筇嵘挠绊?，預(yù)計(jì)到2027年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元，2018-2027年的復(fù)合增速接近40%。

布局新能源汽車

證券時(shí)報(bào)·e公司記者注意到，2020年12月，斯達(dá)半導(dǎo)就發(fā)布公告稱，擬投資建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目計(jì)劃總投資2.29億元，投資建設(shè)年產(chǎn)8萬(wàn)顆車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測(cè)試中心，項(xiàng)目將按照市場(chǎng)需求逐步投入。

有業(yè)內(nèi)人士向記者介紹，碳化硅器件在驅(qū)動(dòng)電容電阻領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝和技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，被認(rèn)為是可以代替IGBT，但是成本較貴；從功率模組封裝工藝上來(lái)說(shuō)，碳化硅模塊的封裝工藝要求比IGBT模塊要求更高，斯達(dá)半導(dǎo)模塊封裝技術(shù)面臨新的考驗(yàn)。

斯達(dá)半導(dǎo)指出，未來(lái)可能在碳化硅領(lǐng)域面臨激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，雖該公司可以大批量供應(yīng)汽車級(jí)IGBT模塊和SiC模塊，但是目前眾多國(guó)內(nèi)企業(yè)開(kāi)始介入該領(lǐng)域。雖然該行業(yè)的門檻較高，但部分國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手技術(shù)不斷積累，國(guó)外廠商內(nèi)部整合，不斷擴(kuò)大自身影響力，進(jìn)一步蠶食市場(chǎng)資源。

中金公司研究指出，新能源車全球普及加速，為碳化硅產(chǎn)業(yè)落地迎機(jī)遇。目前，碳化硅行業(yè)發(fā)展的痛點(diǎn)在于行業(yè)發(fā)展仍屬初期，襯底材料高昂的制備成本和較低的良率帶來(lái)的高售價(jià)。但是預(yù)計(jì)隨著技術(shù)成熟及供應(yīng)商產(chǎn)能擴(kuò)張，碳化硅的成本有望實(shí)現(xiàn)快速下降，未來(lái)五年時(shí)間將在電控、車載充電機(jī)、DC/DC、快充樁等多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景替代Si-MOSFET/Si-IGBT。

據(jù)測(cè)算，到2025年僅中國(guó)新能源車及充電樁對(duì)于SiC的產(chǎn)能需求超100萬(wàn)片6寸晶圓，器件市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)60億元，為本土企業(yè)發(fā)展提供了廣闊的成長(zhǎng)空間。因此建議關(guān)注斯達(dá)半導(dǎo)、三安光電、聞泰科技、新潔能以及晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、華峰測(cè)控。

原標(biāo)題：IGBT龍頭再度加碼碳化硅賽道 斯達(dá)半導(dǎo)定增募資35億元