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印度SRM科學技術研究院（SRMIST）的科學家開發(fā)了一種新的分子前驅體，該分子可用于基于相同化合物的硅藻土薄膜中，用于薄膜太陽能電池。

他們在最近發(fā)表在《太陽能》上的“低溫下全溶液處理功能層的超導型CZTS太陽能電池”中展示了他們的發(fā)現(xiàn)。用該前驅體構建了基于鈦氧化物一維納米結構的酯酸／硫化鎘異質(zhì)結的超導型太陽能電池。

在250℃的溫和退火溫度下，不硫化就制得了鎂橄欖石膜。然后將其用于異質(zhì)結電池中，該電池具有氟摻雜的氧化錫，二氧化鈦，硫化鎘，硅藻土和鋁的層。

科學家解釋說：“超態(tài)配置能夠克服重新組合損失，也可以提供額外的優(yōu)勢，允許更容易實現(xiàn)光捕獲，改進后的背觸點設計，或實現(xiàn)串聯(lián)器件結構。”

低溫制造工藝可以防止硫化鎘的擴散和摻雜氟的氧化錫層的降解，同時使低成本制造成為可能。該電池的轉換效率達到1．04％，科學家們說，這是現(xiàn)有文獻中此類設備的最高水平之一。

kesterite層是基于研究人員已經(jīng)開發(fā)的一種前體溶液。將氯化銅、二水合醋酸鋅、二水合氯化錫和硫代乙酰胺溶于10 ml 2－甲氧基乙醇中，攪拌10分鐘，得到黃色透明溶液。采用鍍鉬鈉石灰玻璃作為酯膜的基材。

科學家們說：“使用前驅溶液通過浸涂的方法制備了CZTS薄膜，然后在130℃干燥，然后在500℃氬氣中退火30分鐘。”

然后在環(huán)境條件下將溶液存放在一個封閉的玻璃瓶中觀察其穩(wěn)定性。紫外可見光譜顯示其吸光度性質(zhì)無明顯變化。通過x射線衍射（XRD）拍攝的圖像也顯示得到的薄膜均勻光滑，并且kesterite的顆粒覆蓋了整個基底。薄膜在一個簡單的異質(zhì)結器件中進行測試，器件由玻璃、鉬、氯酯、硫化鎘和鋁制成，頂部電極采用無真空層壓導電帶。

研究人員說：“所有的結果，包括霍爾效應的測量以及異質(zhì)結器件的特性，都證實了器件質(zhì)量優(yōu)良的CZTS吸收層的形成，這將引導未來的工作，以制造最佳的高效率薄膜太陽能電池。”

他們對該設備進行了霍爾效應測量，并聲稱該薄膜的p型半導體特性顯示了優(yōu)越的移動性值。他們還研究了霍爾系數(shù)，該系數(shù)描述了電流通過導電材料時的變化情況。研究人員說，電池顯示了很有前途的價值，尤其是短路電流（ISC）和開路電壓（VOC）。

原標題：印度太陽能電池技術新進展：轉換效率可達1．04％