相對P型晶硅電池,N型晶硅電池的少子壽命高,無光致衰減,弱光效應好,溫度系數(shù)小,是晶硅太陽能電池邁向理論最高效率的希望。
TOPCon是一種基于選擇性載流子原理的隧穿氧化層鈍化接觸(Tunnel Oxide Passivated Contact)太陽能電池技術,其電池結構為N型硅襯底電池,在電池背面制備一層超薄氧化硅,然后再沉積一層摻雜硅薄層,二者共同形成了鈍化接觸結構,有效降低表面復合和金屬接觸復合,為N-PERT電池轉(zhuǎn)換效率進一步提升提供了更大的空間。
TOPCon電池概念
TOPCon電池的概念由德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所(Fraunhofer-ISE)于2013年提出,下圖為該N型鈍化接觸太陽能電池的結構示意圖。
圖1. 鈍化接觸太陽能電池結構示意圖
TOPCon正面與常規(guī)N型太陽能電池或N-PERT太陽能電池沒有本質(zhì)區(qū)別,電池核心技術是背面鈍化接觸,硅片背面由一層超薄氧化硅(1~2nm)與一層磷摻雜的微晶非晶混合Si薄膜組成。鈍化性能通過退火過程進行激活,Si薄膜在該退火過程中結晶性發(fā)生變化,由微晶非晶混合相轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?。?50°C的退火溫度下退火,iVoc > 710 mV, J0在9-13 fA/cm2,顯示了鈍化接觸結構優(yōu)異的鈍化性能,所制備的電池效率超過23%。目前N型前結鈍化接觸太陽能電池世界紀錄(25.8%)由Fraunhofer-ISE研究所保持。
TOPCon工藝流程
TOPCon電池最大程度保留和利用現(xiàn)有傳統(tǒng)P型電池設備制程,只需增加硼擴和薄膜沉積設備,無須背面開孔和對準,極大的簡化了電池生產(chǎn)工藝,量產(chǎn)化困難度低。
圖2. TOPCon工藝流程圖
目前用于生長高質(zhì)量重摻雜多晶硅層的方法有LPCVD(低壓化學氣相沉積)和PECVD兩種。一種是用LPCVD原位(或離位)摻雜形成多晶硅,由于LPCVD沉積過程會帶來繞鍍問題,使電池性能退化,因此可選擇離位摻雜,即LPCVD形成本征多晶后再進行擴散或離子注入摻雜,形成重摻雜的多晶硅;另一種是使用PECVD沉積摻雜非晶硅或微晶硅層,再經(jīng)過退火得到摻雜的多晶硅。
工業(yè)上常用的多晶硅層厚度約為160-200nm,為了節(jié)省成本和提高性能,電池制造商希望將多晶硅層厚度降低到100nm,甚至50nm。
TOPCon電池的優(yōu)點與缺點
TOPCon電池的優(yōu)點
(1) 電池轉(zhuǎn)換效率高,具有優(yōu)越的界面鈍化和載流子輸運能力,較高的Uoc和FF
數(shù)據(jù)來源:CPIA, 2020.4
表1 TOPCon電池轉(zhuǎn)換效率記錄情況
(1)光致衰減低,摻磷的N型晶體硅中硼含量極低,削弱了硼氧對的影響表1 TOPCon電池轉(zhuǎn)換效率記錄情況
(2) 工藝設備產(chǎn)線兼容性高,可與PERC、N-PERT雙面電池的高溫制備工藝產(chǎn)線相兼容
(3) N型TOPCon電池可與SE、IBC、多主柵、半片、疊片技術相結合,顯著提高電池效率及組件功率
TOPCon電池的缺點
(1) 成本較高,相比較于標準PERC工藝,TOPCon技術資本支出(CAPEX)偏高約10%,運營成本(OPEX)偏高約25%
(2) 效率提升潛力有限
TOPCon的降本之路
相比較于標準PERC工藝,TOPCon的成本相對較高,如果與PERC競爭性價比,則TOPCon效率至少要達到24.5%以上。
TOPCon后續(xù)優(yōu)化降本方向:
(1) 降低n-poly層厚度,降低成本,減少自由載流子吸收
(2) 避免邊緣繞鍍,提升電池性能
(3) 設備成熟度及成本的降低
(4) 漿料性能突破,降低J0, metal
為進一步提升電池效率,光伏技術路線從P型向N型升級,啟動下一輪電池技術變革。TOPCon因其優(yōu)異的高效性及兼容性,越來越受市場的關注,成為N型高效電池產(chǎn)業(yè)化的切入點。
原標題:N型高效電池技術路線之TOPCon