2014年5月20日——5月20日至5月22日, SNEC 2014國際太陽能產(chǎn)業(yè)及光伏工程(上海)展覽會暨會議在上海新國際博覽中心隆重舉辦。會上,英飛凌科技為觀眾帶來了其最新的產(chǎn)品和技術(shù),展示了全方位的太陽能解決方案。
隨著全球環(huán)境問題的日益突顯,人類社會對可再生能源的需求及意識正逐步加溫,包括中國在內(nèi)的許多國家已經(jīng)將太陽能作為重點(diǎn)發(fā)展的新能源產(chǎn)業(yè)。
英飛凌已連續(xù)十年穩(wěn)居功率半導(dǎo)體市場榜首,是少數(shù)能為光伏逆變器提供從控制器到電力電子在內(nèi)的完整的解決方案的半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,其綜合產(chǎn)品組合為太陽能應(yīng)用提供最佳效率和可靠性。英飛凌憑借超結(jié)MOSFET、溝槽柵場終止技術(shù)的IGBT、無磁芯變壓器驅(qū)動器等前沿技術(shù)以及豐富的經(jīng)驗和最優(yōu)的質(zhì)量,保證了其在太陽能應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)軍地位。
此次展會上,英飛凌呈現(xiàn)的全方位太陽能解決方案能夠完全滿足太陽能轉(zhuǎn)換的三大要求——系統(tǒng)成本低、系統(tǒng)效率高、可靠性佳。通過增加開關(guān)頻率,降低電磁、護(hù)罩、冷卻方面的成本,從而大大降低太陽能轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)成本降。 此外,英飛凌還帶來了其全新的650 CoolMOS™ C7和TRENCHSTOP™5 IGBT產(chǎn)品和各種功率等級的光伏用IGBT模塊產(chǎn)品。
CoolMOS™ C7系列是技術(shù)上的一次革命性飛躍,在硬開關(guān)應(yīng)用的所有標(biāo)準(zhǔn)封裝中都實現(xiàn)了全球最低RDS(on),TO-247中為19mΩ,TO-220和D2PAK中為45mΩ,達(dá)到同類最佳等級。C7的快速開關(guān)性能可實現(xiàn)超過100kHz的開關(guān)頻率,同時在服務(wù)器PFC等級上實現(xiàn)了鈦金級效率,提供了提高功率密度的新方法。
TRENCHSTOP™5 IGBT技術(shù)重新定義了“同類最佳IGBT”的含義,可提供無可比擬的效率性能。在要求高效率、低系統(tǒng)成本和高可靠性的應(yīng)用中,TRENCHSTOP™5是唯一的最佳選擇。全新TRENCHSTOP™5 IGBT極大地降低了開關(guān)和導(dǎo)通損耗——與競爭對手的IGBT相比,其系統(tǒng)效率提升了將近1%——同時具有高達(dá)650V的擊穿電壓。
中國是太陽能資源豐富的國家之一,具備廣泛應(yīng)用光伏發(fā)電技術(shù)的地理條件。中國有荒漠面積108萬平方公里,主要分布在光照資源豐富的西北地區(qū)。1平方公里面積可安裝100兆瓦光伏陣列,每年可發(fā)電1.5億度。如果開發(fā)利用1%的荒漠,就可以發(fā)出相當(dāng)于中國2003年全年的耗電量。在中國的北方、沿海等很多地區(qū),每年的日照量都在2000小時以上,海南更是達(dá)到了2400小時以上。
作為英飛凌最為重要的市場之一,中國的光伏產(chǎn)業(yè)近年取得了快速的發(fā)展。英飛凌與國內(nèi)合作伙伴強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,共同推動著本土的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。更多詳情,敬請蒞臨英飛凌展位:上海新國際博覽中心E5館,525。
關(guān)于英飛凌
總部位于德國紐必堡的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。2013財年(截止到9月30日),公司實現(xiàn)銷售額38.4億歐元,在全球擁有近26,700名雇員。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場(OTCQX)International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。
英飛凌在中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長,在中國擁有約1700多名員工,已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。