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 編者按：連續(xù)加料技術(shù)CCZ，由于它在節(jié)約能源和原料上的優(yōu)勢，正在獲得單晶生產(chǎn)企業(yè)的關(guān)注。但是，作為一種新技術(shù)，連續(xù)加料還面對不少困難，其中之一是合適原料的制造。CCZ需要大小均勻的小顆粒，表面潔凈，而且成本低廉。達(dá)到其中任何一個(gè)要求都不難;同時(shí)滿足所有要求是一個(gè)技術(shù)上的難題。

CCZ原料的第一個(gè)選擇是流床法生產(chǎn)的顆粒料，俗稱菜籽料。顆粒料的大小合適，價(jià)格低廉，但是純度不夠高，而且顆粒料一旦有沾污，無法清洗。所以目前顆粒料在CCZ中的應(yīng)用還不成熟。




第二個(gè)選擇是把西門子法生產(chǎn)的多晶棒破碎成小顆粒。這個(gè)方法的優(yōu)點(diǎn)是材料純度高，材料容易清洗;缺點(diǎn)是破碎過程中損耗大。所以使用西門子塊料的難點(diǎn)是怎樣在低損耗的前提下，把多晶硅破碎成大小合適的顆粒。

目前，破碎多晶硅有幾個(gè)方法。1.)機(jī)械破碎;2.)脈沖破碎;3.)熱破碎。

機(jī)械破碎采用顎式或滾筒破碎機(jī)，優(yōu)點(diǎn)是簡單易行，缺點(diǎn)是破碎過程中，大量原料被壓成粉末，損耗大。另一個(gè)缺點(diǎn)是容易有金屬沾污，對后續(xù)的清洗要求比較高。

脈沖破碎是用高電壓脈沖把多晶硅棒在水中擊碎。優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)過程中污染少;缺點(diǎn)是效率低，一天只能生產(chǎn)幾百公斤，無法滿足生產(chǎn)需要。

熱破碎是把硅料加熱后迅速冷卻，通過熱脹冷縮來破碎材料。優(yōu)點(diǎn)是損耗低，缺點(diǎn)是容易產(chǎn)生氧化污染，而且材料的大小不容易控制。

另外需要強(qiáng)調(diào)的是，破碎后的材料形狀對于CCZ也很重要。需要盡量減少尖銳的顆粒，以避免加料過程中的堵塞。

由于小顆粒的表面積非常大，很容易產(chǎn)生沾污，所有破碎后的材料都需要清洗。當(dāng)CCZ技術(shù)用于半導(dǎo)體拉晶時(shí)，材料清洗尤其重要。