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商務部公告2014年第4號 關(guān)于對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅反補貼調(diào)查最終裁定的公告
日期:2014-01-20   [復制鏈接]
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【發(fā)布單位】中華人民共和國商務部
【發(fā)布文號】公告2014年第4號
【發(fā)布日期】2014-01-20

  根據(jù)《中華人民共和國反補貼條例》(以下簡稱《反補貼條例》)的規(guī)定,2012年7月20日,商務部(以下稱調(diào)查機關(guān))發(fā)布年度第41號公告,決定對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅(以下稱被調(diào)查產(chǎn)品)進行反補貼立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進出口稅則》:28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

  調(diào)查機關(guān)對被調(diào)查產(chǎn)品是否存在補貼及補貼金額、中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)是否受到損害及損害程度以及補貼與損害之間的因果關(guān)系進行了調(diào)查。根據(jù)調(diào)查結(jié)果和《反補貼條例》第二十五條的規(guī)定,2013年9月16日,調(diào)查機關(guān)發(fā)布初裁公告,認定被調(diào)查產(chǎn)品存在補貼,中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到了實質(zhì)損害,而且補貼與實質(zhì)損害之間存在因果關(guān)系。

  初步裁定后,調(diào)查機關(guān)繼續(xù)對補貼和補貼金額、損害和損害程度以及補貼與損害之間的因果關(guān)系進行調(diào)查。現(xiàn)本案調(diào)查結(jié)束,根據(jù)調(diào)查結(jié)果,并依據(jù)《反補貼條例》第二十六條的規(guī)定,調(diào)查機關(guān)作出最終裁定(見附件)?,F(xiàn)將有關(guān)事項公告如下:

  一、最終裁定

  經(jīng)過調(diào)查,調(diào)查機關(guān)最終裁定,在本案調(diào)查期內(nèi),被調(diào)查產(chǎn)品存在補貼,中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實質(zhì)損害,而且補貼與實質(zhì)損害之間存在因果關(guān)系。

  二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍

  本案被調(diào)查產(chǎn)品及實施措施產(chǎn)品的具體描述如下:

  調(diào)查和措施范圍:原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅。

  被調(diào)查產(chǎn)品名稱:太陽能級多晶硅。英文名稱:Solar-Grade Polysilicon。

  被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述:以氯硅烷為原料采用(改良)西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的,用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。

  被調(diào)查產(chǎn)品電學參數(shù)為:基磷電阻率<300歐姆厘米(Ω cm);基硼電阻率<2600歐姆厘米(Ω cm);碳濃度(at/cm3);n型少數(shù)載流子壽命<500μs;施主雜質(zhì)濃度;受主雜質(zhì)濃度。

  主要用途:主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn),是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。

  該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進出口稅則》:28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

  三、征收反補貼稅

  根據(jù)《反補貼條例》的有關(guān)規(guī)定,調(diào)查機關(guān)向國務院關(guān)稅稅則委員會提出對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅的建議。國務院關(guān)稅稅則委員會根據(jù)調(diào)查機關(guān)的建議作出決定,自2014年1月20日起,對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅。對各公司征收的反補貼稅稅率如下:

  1.赫姆洛克半導體公司 2.1%

 ?。℉emlock Semiconductor Corporation)

  2.REC太陽能級硅有限責任公司 0%

 ?。≧EC Solar Grade Silicon LLC)

  3.REC先進硅材料有限責任公司 0%

 ?。≧EC Advanced Silicon MaterialsLLC)

  4.MEMC帕薩迪納有限公司 0%

 ?。∕EMC Pasadena,Inc.)

  5.AEPolysilicon Corporation 2.1%

  6.其他美國公司(All Others) 2.1%

  在補貼調(diào)查期內(nèi),原產(chǎn)于REC太陽能級硅有限責任公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品從價補貼率為0.2%,屬于微量補貼;原產(chǎn)于REC先進硅材料有限責任公司和MEMC帕薩迪納有限公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品均未獲得補貼。原產(chǎn)于此三家公司的進口被調(diào)查產(chǎn)品適用的反補貼稅稅率為0%。

  四、征收反補貼稅的方法

  自2014年1月20日起,進口經(jīng)營者在進口被調(diào)查產(chǎn)品時,應向中華人民共和國海關(guān)繳納相應的反補貼稅。反補貼稅以海關(guān)審定的完稅價格從價計征,計算公式為:反補貼稅額=海關(guān)完稅價格×反補貼稅稅率,進口環(huán)節(jié)增值稅以海關(guān)審定的完稅價格加上關(guān)稅和反補貼稅作為計稅價格從價計征。

  五、反補貼稅的追溯征收

  對自2013年9月20日起至2014年1月19日止,有關(guān)進口經(jīng)營者依初裁公告向中華人民共和國海關(guān)所提供的臨時反補貼稅保證金,按終裁所確定的征收反補貼稅的商品范圍和反補貼稅稅率計征并轉(zhuǎn)為反補貼稅,并按相應的增值稅稅率計征進口環(huán)節(jié)增值稅。在此期間有關(guān)進口經(jīng)營者所提供的臨時反補貼稅保證金超出反補貼稅的部分,以及由此多征的進口環(huán)節(jié)增值稅部分,海關(guān)予以退還,少征部分則不再征收。

  對實施臨時反補貼措施決定公告之日前進口的原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅不再追溯征收反補貼稅。

  六、征收反補貼稅的期限

  對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅征收反補貼稅的實施期限自2014年1月20日起5年。

  七、復審

  在征收反補貼稅期間,有關(guān)利害關(guān)系方可以根據(jù)《反補貼條例》的相關(guān)規(guī)定,向調(diào)查機關(guān)書面申請復審。

  八、行政復議和行政訴訟

  對本案終裁決定及征收反補貼稅的決定不服的,根據(jù)《反補貼條例》第五十二條的規(guī)定,可以依法申請行政復議,也可以依法向人民法院提起訴訟。

  九、本公告自2014年1月20日起執(zhí)行。

附件:   中華人民共和國商務部對原產(chǎn)于美國的進口太陽能級多晶硅反補貼調(diào)查的最終裁定.doc


中華人民共和國商務部


2014年1月20日



 
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