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7月27日，港股上市公司賽晶科技發(fā)布公告稱，公司控股子公司賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（簡(jiǎn)稱“賽晶半導(dǎo)體”）完成A輪融資。本次融資估值為投后27.2億元人民幣，由天津安晶企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）、無(wú)錫河床潤(rùn)玉創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、無(wú)錫河床皓玉創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、蘇州亞禾星恒創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）4家投資者合計(jì)出資人民幣1.6億元人民幣，占股比例5.88%。本次融資后，賽晶科技持股比例為70.53%。

值得一提的是，此次融資有回購(gòu)條款，其中包括賽晶半導(dǎo)體于4年內(nèi)完成上市的條款。

賽晶半導(dǎo)體管理層介紹，本次融資所得資金，將重點(diǎn)用于本公司最新的IGBT模塊和SiC模塊生產(chǎn)線建設(shè)。其中，廠房?jī)?nèi)部建設(shè)和設(shè)備采購(gòu)已經(jīng)開始。此外，資金還將用于人才團(tuán)隊(duì)的擴(kuò)充，以及微溝槽IGBT芯片和SiC芯片等的研發(fā)。今年以來(lái)，已經(jīng)有多名具有國(guó)際知名半導(dǎo)體企業(yè)工作背景的國(guó)外技術(shù)專家陸續(xù)加入。公司將在下半年重點(diǎn)加強(qiáng)國(guó)外市場(chǎng)拓展，推動(dòng)中國(guó)制造的精品半導(dǎo)體走向世界。

賽晶半導(dǎo)體成立于2019年。公司已經(jīng)推出的i20系列1200V、1700VIGBT芯片，采用窄臺(tái)面、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化N-型增強(qiáng)層和P+層等多項(xiàng)行業(yè)前沿設(shè)計(jì)，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能。公司已經(jīng)率先實(shí)現(xiàn)在12寸晶圓代工生產(chǎn)線量產(chǎn)IGBT芯片。

此外，賽晶半導(dǎo)體已經(jīng)推出的ED封裝、ST封裝IGBT模塊，采用顯著提升均流性能的“直線型”布局等多項(xiàng)優(yōu)化設(shè)計(jì)，并通過工業(yè)4.0的全自動(dòng)智能制造工藝和質(zhì)量管理提升了產(chǎn)品電氣性能、可靠性、一致性。產(chǎn)品推出之后獲得了電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電，儲(chǔ)能、SVG及其他工控領(lǐng)域客戶的認(rèn)可和批量訂單?；谑袌?chǎng)拓展成果及客戶需求的快速增長(zhǎng)，賽晶半導(dǎo)體將加快規(guī)劃中的第三、四條模塊生產(chǎn)線（分別為一個(gè)IGBT模塊和一個(gè)SiC模塊生產(chǎn)線）的建設(shè)和產(chǎn)能提升。

近期，賽晶半導(dǎo)體將陸續(xù)推出兩款車規(guī)級(jí)產(chǎn)品–HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊和IGBT模塊，以加強(qiáng)在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的產(chǎn)品布局。此外，微溝槽IGBT芯片、SiC MOSFET芯片的研發(fā)工作，也已經(jīng)啟動(dòng)。

至2025年，全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到76億美元和113億美元。功率半導(dǎo)體前景廣闊，在汽車、充電樁及光儲(chǔ)等多輪驅(qū)動(dòng)下，有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)，為千億賽道奠定堅(jiān)實(shí)路基。

我國(guó)在低端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)較高國(guó)產(chǎn)化率。但中高端產(chǎn)品領(lǐng)域，因壁壘較多，如車規(guī)SJMOSFET，IGBT和碳化硅碳化硅：BK0977 1190.95 0.45% +自選等，進(jìn)口占比較高。在美制裁和缺芯的當(dāng)下，實(shí)現(xiàn)車規(guī)功率半導(dǎo)體自主可控，有助于電動(dòng)汽車供應(yīng)鏈安全和穩(wěn)定。

原標(biāo)題：賽晶半導(dǎo)體完成1.6億元人民幣融資，光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域前景廣闊