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4.0解決措施

4.1改善硅單晶質(zhì)量

太陽(yáng)電池性能的早期光致衰減現(xiàn)象主要發(fā)生在單晶硅太陽(yáng)電池上，對(duì)于多晶硅太陽(yáng)電池來(lái)講，其轉(zhuǎn)換效率的早期光致衰減幅度就很小。由此可見(jiàn)硅片自身的性質(zhì)決定了太陽(yáng)電池性能的早期光致衰減程度。因此要解決光伏組件的早期光致衰減問(wèn)題。就必須從解決硅片問(wèn)題人手。下面就幾個(gè)方案進(jìn)行討論。

A、改進(jìn)摻硼P型直拉單晶硅棒的質(zhì)量

一些單晶棒的質(zhì)量確實(shí)令人擔(dān)憂，如果不能有效的改變這一狀況將嚴(yán)重影響光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展在摻硼直拉單晶產(chǎn)品中主要存在的問(wèn)題和改進(jìn)措施：

1）由于原始高純多晶硅料短缺一些拉棒公司就摻人了一些不應(yīng)該使用的基磷和其它有害雜質(zhì)含量高的質(zhì)次的硅料。使用此類(lèi)材料生產(chǎn)的太陽(yáng)電池不但效率低，而且早期光致衰減幅度非常大。我們強(qiáng)烈要求不使用低質(zhì)量的硅料。

2）在高純多晶硅料中摻人過(guò)多低電阻率N型硅料苰IC的廢N型硅片等。所制造出的摻硼CZ硅棒是一種高補(bǔ)償?shù)腜型單晶材料。盡管電阻率合適，但硼一氧濃度非常高從而導(dǎo)致太陽(yáng)電池性能出現(xiàn)較大幅度的早期光致衰減。我們強(qiáng)烈要求不使用低電阻率N型硅料。

3）一些公司拉棒工藝不過(guò)關(guān)，晶體硅中氧含量過(guò)高，內(nèi)應(yīng)力大，位錯(cuò)缺陷密度高，電阻率不均勻，都直接影響了太陽(yáng)電池的效率及穩(wěn)定性。我們希望改進(jìn)拉棒工藝?？刂蒲鹾俊?br />
用上述幾種硅片制作的太陽(yáng)電池有較大幅度的早期光致衰減，會(huì)超出客戶(hù)所能接受的范圍。其實(shí)直拉單晶工藝是很成熟的，只要我們把好用料質(zhì)量關(guān)，按正規(guī)拉棒工藝生產(chǎn)，硅棒的質(zhì)量是可以得到較好控制的。寰瀀愀最攀戀爀攀愀欀崀

B、利用磁控直拉硅單晶工藝（MCZ）改進(jìn)單晶硅棒產(chǎn)品質(zhì)量

此工藝不僅能控制單晶中的氧濃度，也使硅單晶縱向、徑向電阻率均勻性得到改善這種工藝已在國(guó)內(nèi)部分拉棒公司開(kāi)始試用。

C、利用區(qū)熔單晶硅工藝（FZ）改進(jìn)單晶硅棒產(chǎn)品質(zhì)量

區(qū)熔單晶硅工藝避免了直拉工藝中大量氧進(jìn)人硅晶體的固有缺陷，從而徹底解決了P型（摻硼）太陽(yáng)電池的早期光致衰減現(xiàn)象。因FZ工藝成本較高，主要用于IC和其它半導(dǎo)體器件的硅片制造，但目前一些公司已對(duì)FZ工藝進(jìn)行相關(guān)改造，降低了成本。以適合于太陽(yáng)電池硅片的制造。國(guó)內(nèi)一些拉棒公司已開(kāi)展了這方面的試制工作

D、改變摻雜劑，用鎵代替硼

用摻稼的硅片制作的電池，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)太陽(yáng)電池的早期光致衰減現(xiàn)象，也是解決太陽(yáng)電池早期光致衰減的辦法之一。

E、使用摻磷的N型硅片代替摻硼的P型硅片

使用誥硅片也是解決電池初試光致衰減問(wèn)題的方法之一但從目前產(chǎn)業(yè)化的絲網(wǎng)印刷誥電池工藝來(lái)看，誥電池在轉(zhuǎn)換效率和制造成本上還沒(méi)有優(yōu)勢(shì)，一些關(guān)鍵工藝有待解決

4.2、對(duì)電池片進(jìn)行先前光照衰減

由于光伏組件的早期光致衰減是由電池的早期光致衰減導(dǎo)致的，對(duì)電池片進(jìn)行光照預(yù)衰減，使電池的早期光致衰減發(fā)生在組件制造之前。光伏組件的早期光致衰減就非常小了，完全可以控制在測(cè)量誤差之內(nèi)。同時(shí)也大幅度地減少了光伏組件出現(xiàn)熱斑的幾率。

5.0小結(jié)

提高了光伏組件的輸出穩(wěn)定性, 為我們的用戶(hù)帶來(lái)更多的效益。

盡管通過(guò)光照預(yù)衰減是一種亡羊補(bǔ)牢的方法, 但在硅片質(zhì)量沒(méi)有得到有效的改善之前, 使用此方法是解決光伏組件早期光致衰減問(wèn)題有效措施。（作者微信公眾賬號(hào)：光伏經(jīng)驗(yàn)網(wǎng)）



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