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5.0測(cè)試暗電流的目的

（1） 防止擊穿

如果電池片做成組件時(shí)，電池片的正負(fù)極被接反，或者組件被加上反偏電壓時(shí)，由于電池片的暗電流過(guò)大，電流疊加后會(huì)迅速的將電池片擊穿，不過(guò)這樣的情況很少發(fā)生，所以測(cè)試暗電流在這方面作用不是很大。

（2）監(jiān)控工藝

當(dāng)電池片工藝流程結(jié)束后，可以通過(guò)測(cè)試暗電流來(lái)觀察可能出現(xiàn)的工藝的問(wèn)題，前面說(shuō)過(guò)，暗電流是由反向飽和電流和薄層漏電流以及體漏電流組成的，分別用J1，J2，J3表示，當(dāng)我們給片子加反偏電壓時(shí)，暗電流隨電壓的升高而升高，分3個(gè)區(qū)，1區(qū)暗電流由J2起支配作用，2區(qū)由J3起支配作用，3區(qū)由J1起支配作用，3個(gè)區(qū)的分界點(diǎn)由具體的測(cè)試電壓而決定的。為什么暗電流會(huì)隨電壓升高而增大呢？當(dāng)有電壓加在片子上時(shí)，對(duì)硅片有了電注入，電注入激發(fā)出非平衡載流子，電壓越大激發(fā)的非平衡載流子越多，形成的暗電流越大，暗電流的增長(zhǎng)速度隨電壓越大而變慢，直到片子被擊穿。一般我們測(cè)試暗電流的標(biāo)準(zhǔn)電壓為12V，測(cè)得的曲線和標(biāo)準(zhǔn)的曲線相比后，可以的出片子的基本情況。如在1區(qū)發(fā)現(xiàn)暗電流過(guò)大則對(duì)應(yīng)的薄層區(qū)出了問(wèn)題，2區(qū)暗電流過(guò)大，說(shuō)明問(wèn)題出在體區(qū)，同樣3區(qū)出現(xiàn)問(wèn)題，說(shuō)明PN做的有問(wèn)題，擴(kuò)散，絲網(wǎng)印刷，溫度等參數(shù)都會(huì)影響暗電流，只要知道哪出了問(wèn)題，就可以根據(jù)這去找出問(wèn)題的原因，所以測(cè)試暗電流對(duì)工藝的研究是很有用的。（作者微信公眾賬號(hào)：光伏經(jīng)驗(yàn)網(wǎng)）



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