在本工作中,來自印 度國際粉末冶金與新材料先進(jìn)研究中心的研究人 員首次采用了一種簡單的、溶液可處理的低溫SnO2沉積方法,初步研究了以 CuSCN 為空穴傳輸材料 (HTM) 、 Au 為背接觸的平面器件的光伏性能。相關(guān)論文以題目為“ Dip coated SnO 2 film as electron transport layer for low temperature processed planar perovskite solar cells ” 發(fā)表在 Applied Surface Science Advances 期刊上。
鈣鈦礦型太陽能電池(PSC)吸引了太陽能領(lǐng)域的注意,因?yàn)樗鼈兊男试?0年內(nèi)飆升至2020年的25.5%。PSCs的高效率、低成本、選擇材料、基板的靈活性以及良好的電學(xué)和光學(xué)性能使其成為現(xiàn)有技術(shù)的有力競爭者。然而,要將這項(xiàng)技術(shù)商業(yè)化,穩(wěn)定性和可擴(kuò)展性等挑戰(zhàn)仍有待解決。除了吸收體/鈣鈦礦層,電荷傳輸層也起著至關(guān)重要的作用,因?yàn)樵诮缑娴挠行щ姾商崛Q定了器件的性能和穩(wěn)定性。各種金屬氧化物作為電子傳輸材料,如TiO2、SnO2、ZnO、BaNO3、SrTiO3等,在PSCS中得到了廣泛的應(yīng)用。其中,TiO2是PSCs中最常用的電子傳輸層(ETL)。以介觀TiO2為ETL,可獲得8%的光催化活性。
然而存在著電子遷移率低、能級匹配淺、器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜、紫外光不穩(wěn)定、透過率低、燒結(jié)溫度高等缺點(diǎn)。在此背景下,SnO2是一種n型材料,與TiO2相比,具有良好的光電性能、更好的能級排列、更高的光學(xué)透明度和更好的紫外光照射穩(wěn)定性。此外,這種材料可以在相對較低的溫度(≤200?C)下制備。這些優(yōu)異的性能使SnO2可用作熱阻較低的柔性襯底的ETL,其平面結(jié)構(gòu)簡單,可用于光電應(yīng)用。由于平面結(jié)構(gòu)簡單、燒結(jié)溫度低、襯底選擇、易于制造以及降低成本,SnO2已被開發(fā)為一種潛在的ETL,可用于性能更高的高質(zhì)量平面薄膜。
盡管旋涂是一種簡單且可低溫加工的技術(shù),但它只能用于小尺寸的襯底,限制了PSCs的擴(kuò)展。在這個方向上,Mathazhagan等人最近通過工業(yè)兼容的凹槽模具涂層開發(fā)了SnO2薄膜。然而,該工藝需要添加聚乙二醇等聚合物,以克服形成均勻SnO2膜的團(tuán)聚挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中,首次采用了一種簡單的浸漬鍍膜技術(shù)來沉積SnO2作為PSCS的電子傳輸層,這在工業(yè)上是可行的,并且不需要任何聚合物添加劑。浸漬涂布是一種簡單和良性的涂布技術(shù),它通過改變浸漬-退出速度、浸漬循環(huán)次數(shù)和前體濃度來更好地控制厚度。浸漬涂層還具有減少化學(xué)廢物的優(yōu)點(diǎn),因?yàn)槿苣z可以重復(fù)使用。
圖1. 采用浸漬鍍膜工藝沉積SnO,然后進(jìn)行器件制造的原理圖。
圖2.裸露的FTO玻璃和鍍覆在FTO上的SnO2薄膜(A)1層(B)2層(C)3層(D)4層的3D圖。
圖3.(A)浸漬鍍膜SnO2薄膜的Tauc圖,四次沉積周期顯示其帶隙。(B)浸涂SnO2和FAPbI3/SnO2的X射線衍射光譜。(C)FAPbI3/SnO2的FE-SEM圖像,插圖顯示。FTO/SnO2/FAPbI3的低倍圖像和晶粒尺寸分布(D)橫截面FE-SEM圖像。
總地來說,作者成首次將SnO2與蒸氣法制備的鈣鈦礦和CuSCN高溫超導(dǎo)材料相結(jié)合,用于平面結(jié)構(gòu)PSCS。最后,制備了FePbI3基平面結(jié)構(gòu)的SnO2敏化PSCs,獲得了3.2%的光伏性能。
原標(biāo)題:《ASSA》:首次采用一種新方鈣鈦礦太陽能電池電子傳輸層!