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保利協(xié)鑫游達(dá):鑄錠單晶產(chǎn)品性?xún)r(jià)比持續(xù)提升
日期:2018-11-07   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:wangya_tyf 打印收藏評(píng)論(0)[訂閱到郵箱]
編者按:近期,晶體硅生長(zhǎng)技術(shù)論壇在杭州召開(kāi)。此次論壇由亞化咨詢(xún)主辦,云集了協(xié)鑫、阿特斯、榮德等主流長(zhǎng)晶企業(yè)技術(shù)專(zhuān)家,精功科技、晶盛機(jī)電、GTAT等設(shè)備制造商負(fù)責(zé)人,以及浙江大學(xué)、江蘇大學(xué)教授等權(quán)威專(zhuān)家。

保利協(xié)鑫長(zhǎng)晶事業(yè)部總裁游達(dá)博士參會(huì)并作《GCL鑄錠單晶技術(shù)進(jìn)展》報(bào)告。游達(dá)博士認(rèn)為,鑄錠單晶擁有更低氧含量、更低衰減、無(wú)缺角,性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)非常明顯。




游達(dá)博士認(rèn)為,多晶鑄錠硅片產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢(shì)為高產(chǎn)能、低光衰、低封裝損失;Cz單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率高、位錯(cuò)密度低、可以采用堿制絨工藝,采用鑄錠方法生產(chǎn)的單晶硅片兼具二者技術(shù)優(yōu)勢(shì)。部分下游客戶(hù)使用反饋,疊加PERC技術(shù)后,鑄錠單晶與Cz單晶效率差最少僅為0.18%,而成本大幅降低。而且,數(shù)據(jù)顯示,鑄錠單晶光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上,長(zhǎng)期發(fā)電量更高。

游達(dá)博士表示,鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產(chǎn)品,由于不存在缺角,其硅片面積100%可利用,比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310瓦。在同功率輸出的條件下,鑄錠單晶組件價(jià)格比Cz單晶低0.06元/瓦,度電成本低0.006元/度。


 
游達(dá)博士介紹,保利協(xié)鑫2011年即開(kāi)始研究鑄錠單晶技術(shù),已經(jīng)發(fā)布第三代產(chǎn)品。目前,保利協(xié)鑫鑄錠熱場(chǎng)工藝、錠檢設(shè)備、產(chǎn)品品質(zhì)全面升級(jí),對(duì)稱(chēng)性熱場(chǎng),分段式加熱控制有效降低位錯(cuò),實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)整錠單晶。繼金剛線切黑硅片之后,鑄錠單晶硅片將成為對(duì)市場(chǎng)有重大影響的差異化產(chǎn)品。
 
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