保利協(xié)鑫長(zhǎng)晶事業(yè)部總裁游達(dá)博士參會(huì)并作《GCL鑄錠單晶技術(shù)進(jìn)展》報(bào)告。游達(dá)博士認(rèn)為,鑄錠單晶擁有更低氧含量、更低衰減、無(wú)缺角,性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)非常明顯。
游達(dá)博士認(rèn)為,多晶鑄錠硅片產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢(shì)為高產(chǎn)能、低光衰、低封裝損失;Cz單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率高、位錯(cuò)密度低、可以采用堿制絨工藝,采用鑄錠方法生產(chǎn)的單晶硅片兼具二者技術(shù)優(yōu)勢(shì)。部分下游客戶(hù)使用反饋,疊加PERC技術(shù)后,鑄錠單晶與Cz單晶效率差最少僅為0.18%,而成本大幅降低。而且,數(shù)據(jù)顯示,鑄錠單晶光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上,長(zhǎng)期發(fā)電量更高。
游達(dá)博士表示,鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產(chǎn)品,由于不存在缺角,其硅片面積100%可利用,比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310瓦。在同功率輸出的條件下,鑄錠單晶組件價(jià)格比Cz單晶低0.06元/瓦,度電成本低0.006元/度。